ВЛИЯНИЕ ДЕФОРМАЦИИ НА МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ В ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТОНКИХ ПЛЕНКАХ

Authors

  • Отажонов Салим Мадрахимович Доктор физика-математических наук, профессор Ферганского Государственного университета, e-mail: otajonov_s@mail.ru, Телефон: +998936431433
  • Ботиров Кодир Абдуллаевич преподаватель Ферганского Государственного университета, Телефон: +998911168708
  • Алимов Нодир Эсоналиевич преподаватель Ферганского Государственного университета, Телефон: +998936404183

Keywords:

Тензочувствительность, Фоточувствительность, Деформация, Полупроводниковая Плёнка, Растяжения, Сжатия, Фототензодатчик.

Abstract

Разработанно устройство для изучения тензосвойства фоточувствительных полупроводниковых тонких пленок и опробировано тензочувствительности фоточувствительных пленок теллурида кадмия. Выяснено, что фоточувствительные пленки обладают значительной тензочувствительностью в области края поглощения вблизи энергии hv = 1,4 эВ, который зависить от технологии получения и размеров пленочных элементов.

References

Mokrov Ye.A. Integralg’nqe datchiki. Sostoyanie razrabotok i proizvodstva. Napravleniya razvitiya. [Integrated sensors. The state of development and production. Directions of development.] // Datchiki isistemq. [Sensors and systems]2000. No.1. pp.28-30.

Kolg’man Ye.M., Beklemio’ev A.I., Lipeshonkov A.I. Tenzometricheskaya sistema. // Datchiki i sistemq. [Strain gauge system. // Sensors and systems.] 2004. No.3. pp.18-20.

Zuev V.A. Neravnovesnqe pripoverxnostnqe protsessq v poluprovodnikax i poluprovodnikovqx priborax. [Nonequilibrium surface processes in semiconductors and semiconductor devices.]// Sov. Radio.Moskva. [Sov. Radio.Moscow.] 1977. 256 s.

E Gaubas, T Čeponis, D Dobrovolskas, J Mickevičius, J Pavlov, Otazhonov, S.M ,N Alimov, // Study of polycrystalline CdTe films by contact and contactless pulsed photo-ionization spectroscopy// Thin Solid Films 2018, 660, pp.231-235.

Otazhonov, S.M., Khalilov, M.M., ...Mamadzhanov, U., Zhuraev, N.M.// Effective dielectric permeability and electrical conductivity of polycrystalline PbTe films with disturbed stoichiometry //Journal of Physics: Conference Series, 2021, 2131(5), 052008

Vaitkus, J.J., Rasulov, R.Ya., Otazhonov, S.M., Oripov, U.I.//Structure features and photoelectric properties of polycrystalline CdTe:Ag films// Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniquesthis , 1999, 15(3), pp. 515–520

Vaǐtkus, Yu.Yu., Rasulov, R.Ya., Otazhonov, S.M.//Photoconductivity of polycrystalline CdTe:Ag films in the impurity optical absorption region// Semiconductors, 1996, 30(9), pp. 817–820

Vaitkus, Yu.Yu., Senulis, F.D., Otazhonov, S.M.//Effect of boron implantation in CdTe on the spectrum of deep levels in intercrystalline barriers// Soviet Physics Journal, 1988, 31(8), pp. 635–638

Akhmedov, T., Otajonov, S.M., Usmonov, Y., ...Yunusov, N., Amonov, A.K.//Optical properties of polycrystalline films of lead telluride with distributed stoichiometry// Journal of Physics: Conference Series, 2021, 1889(2), 022052

Ш.Б.Атакулов, С.М.Отажонов, Р.Т.Расулов, Н.Розиохунова,// Термоэлектрическая эффективность пленок теллурида свинца при легировании элементами V группы//Фізична інженерія поверхні, 2009 №2 с. 119-122

Ю.Ю Вайткус, СМ Отажонов//Взаимосвязь структуры и фотоэлектрических свойств пленок СdTe, обладающих примесным аномальным фотонапряжением// Кристаллография 1992, 37 (2), c.474-478.

Вайткус Ю.Ю. Сенулис Ф.Д. Отажонов С.М. Влияние имплантации бора на спектр глубоких уровней в CdTe,// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ “ФИЗИКА”.

№ 8.1988 г. с. 35-39

Вайткус Ю.Ю. Отажонов С.М. Взаимосвязь фотоэлектрических свойств пленок CdTe со структурой, обладающей примесной аномальным фотонапряжением, //КРИСТАЛЛОГРАФИЯ № 2 1992 г. С 474-478

Вайткус Ю.Ю. Расулов Р.Я, Отажонов С.М. Фотопроводимость поликристаллических пленок CdTe в области примесного поглощения света,// ФТП № 9, 1996 г. стр. 1558 -1564

Vaitkus J. Rasulov R Otajonov S. Photoconductivity of polycrystalline CdTe-Ag films in the impurity optical absorption region,// AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS S 1063-7826 (96) 02808-6, 1996 г. Р-817-820.

Вайткус Ю.Ю. Расулов Р.Я. Отажонов С.М. Особенности структуры и фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок CdTe:Ag,// “ПОВЕРХНОСТЬ” Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования АН РОССИЯ, МОСКВА “Наука”, № 3 1999, с. 44-49.

Отажонов С.М. Фотоприемник в ближней ИК-области поглощения на основе CdTe-SiO2-Si,// Прикладная физика. Научно-технический журнал. Москва, Россия 2005, № 1. С. 95-97

Отажонов С.М. Фотодетектор для регистрации рентгеновского и ультрафиолетвого излучений на основе гетероструктур CdTe-ZnSe,// Прикладная физика. Научно-технический журнал. Москва, Россия 2005, № 2. С. 42-45.

Downloads

Published

2022-12-01

Issue

Section

Articles