СВОЙСТВА БИНАРНЫХ НАНОКЛАСТЕРОВ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ В КРЕМНИИ
Abstract
В полупроводниках существуют два вида - моноатомные и бинарные кластеров примесных атомов. Моноатомная кластерная система обычно образуется в основном быстрым диффундированием примесных атомов, благодаря дополнительному термоотжигу после диффузии. Такие кластеры образуют строгие подрешетки в виде ГЦКР и ОЦКР состоящих из междоузельных атомов в решетке полупроводников. При этом сумма электронов на внешних электронных оболочках атомов, образующих бинарные кластеры должна быть равна 8, и они формируются как в процессе легирования, так и при определенных дополнительных термодинамических условиях. В формировании бинарных кластеров, появляются новые элементарные ячейки в виде Si2A-nB+m, т.е. ׀n+m׀=8 и в объеме и на поверхности материала. В данном случае в решетке полупроводникового материала химическая связь не нарушается и не создаются дополнительные энергетические уровни в запрещенном зоне
