ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОПТРОНА ОТКРЫТЫТОГО КАНАЛА
Keywords:
индий – фосфор – мышьяк, лазерные терапевтические аппараты, лазерный диод, фоторезисторы, фототранзисторы, фотодиоды, фототиристоры, АФН – приемники.Abstract
В данной статье описаны перспективы оптоэлектронного приборостроения, материалы полупроводникового лазера, принципы действия, а также режим работы лазерного диода.
References
Рахимов, Н.Р. АФН-пленки и их применение / Н.Р. Рахимов, А.Н. Серьѐзнов: монография. – Новосибирск: СибНИА, 2005. – 64с.
Рахимов Н.Р. Оптоэлектронные датчики на основе АФН-эффекта / Н.Р. Рахимов, О.К. Ушаков. - Новосибирск: СГГА, 2009 – 148с.
Ларюшин, А.И. Оптоэлектроника в промышленности и в медицине / А.И. Ларюшин. – Казань: 1997 – 320 с.
Курбатов, Л.Н. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра / Л.Н. Курбатов. – М.: Изд-во МФТИ, 1999. – 320 с.
Рахимов, Н. Р., Жмудь, В. А., Трушин, В. А., Рева, И. Л., & Сатволдиев, И. А. (2015). Оптоэлектронные методы измерения и контроля технологических параметров нефти и нефтепродуктов. Автоматика и программная инженерия, (2 (12)), 85-108.
Рахимов, Н. Р., Ларина, Т. В., & Сатволдиев, И. А. (2012). Расчет основных параметров приемников оптического излучения для создания оптрона открытого канала. Интерэкспо ГЕО-Сибирь, 1(5), 134-139.
Рахимов, Н. Р., & Сатволдиев, И. А. (2010). Применение современных лазерных диодов для создания оптрона открытого канала. Интерэкспо Гео-Сибирь, 5(1), 67-70.
