ВЛИЯНИЕ ТЕРМООТЖИГА НА СОСТОЯНИЕ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАНННЫХ АТОМОВ MN В SI”
Keywords:
примеси, профили, влияния, термический отжиг, , глубина, концентрационное распределение, доза облучения, температуры активации.Abstract
В данной работе приведены результаты исследований изучения профилей распределения имплантированных атомов Mn в Si в зависимости от дозы облучения и температуры отжига методом РОР. Полученные результаты подтверждают аналогичные данные, полученные ВИМС. Изучено влияние термоотжига на распределение Mn и других примесей, в частности, кислорода. Приведена возможность использования метода РОР для анализа концентрационного распределения легированных примесей и взаимодействия примесей между собой.
References
Риссел Х, Руге И. « Ионная имплантация». М.Наука 1983. С 360.
Лифшиц В.Г. «Электронная структура и силицидов образование в тонких пленках пе реходных металлов на кремнии».Препринт. 1984,с.260.
Gerasimenko.N.N., Parkhomenko Yu.N. Silicon as material for nanoelectronics//Technosfera, M. 2007.352P.
Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.
Эгамбердиев Б.Э, Бахадырханов М.К, Абдугаббаров М.С «Свойства поверхностных и приповерхностных слоев кремния, имплантированного марганцем» Неорганические материалы РАН, 1995,Т.31,№ 3,С. 301-303.
Эгамбердиев Б.Э. «Электронно- спектроскопические исследования физических свойств эпитаксиальных комбинаций и ионно- имплантированных слоев в кремнии ». Докторская диссертация – М, 2003,С 243.
Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний-материал наноэлектроники. М.: Техносфера,2007.352с.
Эгамбердиев Б.Э. , Маллаев А. С. Кремниевые силицидные структуры на основе ионного легирования. Т.:изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
